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(제품번호 : EPXGTTM6)
SST26WF040B-104I/SN Flash Memory, 1M x 4 bit, 2M x 2 bit, 4M x 1 bit 4Mbit, 1.65 → 1.95 V, 8-Pin, SOIC
브랜드 : MICROCHIP
제조사 : Microchip
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SST26WF040B/080B/016B Serial Quad I/O (SQI) SuperFlash® Flash Memory

From Microchip the SST26WFxxxB family of products are Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory devices available in 4-, 8- and 16-bit variants. These devices support full command-set compatibility with Serial Peripheral Interface (SPI) protocol and enable minimum latency Execute-in-Place (XIP) capability without the need for code shadowing on an SRAM. The SST26WFxxxB devices exhibit low power consumption, making them suitable for portable battery powered applications.

Features

Operating Voltage Range 1.6 to 1.95 V

Clock Frequency 104 MHz max

Serial Interface Architecture

Low Power Consumption: Active Read Current: 15 mA (typical at 104 MHz), Standby Current: 10 μA (typical)

Burst Modes: Continuous Linear Burst, 8/16/32/64 Byte Linear Burst with Wrap-Around

Page-Program: 256 Bytes per page in x1 or x4 mode

Fast Erase Time: Sector/Block Erase 18 ms (typ), 25 ms (max); Chip Erase 35 ms (typ), 50 ms (max)

Flexible Erase Capability

End-of-Write Detection

Write-Suspend

Software Protection

Software Reset (RST) Mode

SFDP (Serial Flash Discoverable Parameters)

Flash Memory, Microchip


Memory Size4Mbit
Package TypeSOIC
Pin Count8
Organisation1M x 4 bit, 2M x 2 bit, 4M x 1 bit
Mounting TypeSurface Mount
Cell TypeSplit Gate
Minimum Operating Supply Voltage1.65 V
Maximum Operating Supply Voltage1.95 V
Length4.9mm
Height1.25mm
Width6mm
Dimensions4.9 x 6 x 1.25mm
Minimum Operating Temperature-40 °C
Number of Words1M, 2M, 4M
Maximum Operating Temperature+85 °C
Number of Bits per Word1 bit, 2 bit, 4 bit
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AT29C512-90JU
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플래시 4Mb SQI 플래시 Memory 1.8V 8 SOIC
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[MICROCHIP] SST26WF040B-104I/SN 해외재고상품입니다. 주문/결제후 취소가 불가능합니다.
SST26WF040B-104I/SN, SPI, SQI Split Gate Flash Memory, 1M x 4 bit, 2M x 2 bit, 4M x 1 bit 4Mbit, 1.65 → 1.95 V
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