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(제품번호 : EPXFU33M)
SST39SF040-70-4C-PHE Split Gate Flash Memory, 512K x 8 bit 4Mbit, 70ns, 4.5 → 5.5 V, 32-pin, PDIP
브랜드 : MICROCHIP
제조사 : Microchip
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SST39SF010A/020A/040 Parallel SuperFlash® Memory

The SST39SF010A/020A/040 family of devices from Microchip are Parallel multi-purpose SuperFlash® Memory ICs.

Features

4.5-5.5V Read and Write Operations

Endurance - 100,000 cycles (typical)

Low Power Consumption - Active Current 10 mA, Standby Current 30 μA (typical values at 14 MHz)

Sector-Erase Capability - Uniform 4 Kbyte sectors

Read Access Time - 55 to 70 ns

Sector-Erase Time 18 ms

Chip-Erase Time: 70 ms (typical)

Byte-Program Time - 14 μs (typical)

Chip Rewrite Time - SST39SF010A 2 seconds, SST39SF020A 4 seconds, SST39SF040 8 seconds (typical values)

Latched Address and Data

Automatic Write Timing - Internal VPP Generation

End-of-Write Detection - Toggle Bit - Data# Polling

TTL I/O Compatibility

JEDEC Standard- Flash EEPROM Pinouts and Command Sets

Flash EPROM, Microchip


Cell TypeSplit Gate
Dimensions42.04 x 15.88 x 3.81mm
Height3.81mm
Length42.04mm
Maximum Operating Supply Voltage5.5 V
Maximum Operating Temperature+70 °C
Maximum Random Access Time70ns
Memory Size4Mbit
Minimum Operating Supply Voltage4.5 V
Minimum Operating Temperature0 °C
Mounting TypeThrough Hole
Number of Bits per Word8bit
Number of Words512K
Organisation512K x 8 bit
Package TypePDIP
Pin Count32
Width15.88mm
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1/2/4 Mbit (x8) Mu...
AT29C512-90JU
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SST39SF040-70-4C-PHE Split Gate Flash Memory, 512K x 8 4Mbit, 70ns, 4.5 → 5.5 V, 32-pin, PDIP
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MCHP-0044457
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플래시 512K X 8 70ns
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